KONTAN.CO.ID - Samsung Electronics mengatakan pada Jumat (29/5/2026) bahwa perusahaan telah mulai mengirimkan sampel chip memori high-bandwidth memory (HBM) terbaru mereka, yakni HBM4E 12-layer. Samsung mengklaim pengiriman tersebut menjadi yang pertama di industri untuk produk sejenis. Reuters melaporkan,perusahaan teknologi asal Korea Selatan itu menyebut chip baru tersebut menawarkan peningkatan performa kecepatan lebih dari 20% dibandingkan produk HBM4 generasi sebelumnya. Samsung menjelaskan chip tersebut menggunakan teknologi proses DRAM terbaru mereka, yakni DRAM kelas 10-nanometer generasi keenam atau 1c DRAM, yang dipadukan dengan logic base die foundry 4-nanometer milik Samsung.
Tabel 1. Spesifikasi Chip HBM4E Samsung
| Komponen | Detail |
|---|---|
| Nama chip | HBM4E 12-layer |
| Peningkatan performa | Lebih dari 20% |
| Teknologi DRAM | 1c DRAM generasi keenam |
| Teknologi foundry | Logic base die 4nm |
| Status | Sampel mulai dikirim |
| Fokus pasar | AI server dan prosesor AI |